在半導(dǎo)體蝕刻工藝中應(yīng)用旋片式真空泵的目的是去除曝光和顯影的光致抗蝕劑微圖案中的下層材料的暴露部分，即，再現(xiàn)與下層材料上的光致抗蝕劑相同的圖案。蝕刻是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝和微納制造工藝中非常重要的步驟。這是與光刻相關(guān)的圖形處理的主要過程。事實上，所謂的蝕刻是狹義理解的是光刻蝕刻。首先通過光刻對光致抗蝕劑進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其他方法進(jìn)行蝕刻以去除要去除的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展，從廣義上講，蝕刻已經(jīng)成為通過溶液，反應(yīng)離子或其他機(jī)械手段剝離和去除材料的通用術(shù)語，并且已經(jīng)成為微加工的通用術(shù)語。
以下描述Si3N4蝕刻的過程：
Si3N4刻蝕半導(dǎo)體刻蝕工藝：
在903E蝕刻機(jī)中蝕刻，引入蝕刻機(jī)的氣體是：CF4，NF3，He。氟自由基的作用是使氮化硅被腐蝕，產(chǎn)物是氣體，它被旋片式真空泵抽走。為了加速腐蝕速率，可以在CF4中加入少量氧氣（5％-8％），因為氧氣可以抑制反應(yīng)室壁中F *的損失，并且：CF4 + O2→F * + O * + COF * + COF2 + CO + ...（電離）。 COF *具有長壽命，當(dāng)它移動到晶片表面時，發(fā)生以下反應(yīng)以加速腐蝕速率：COF *→F * CO（電離），但加入氧氣以腐蝕光致抗蝕劑以減少選擇性。
蝕刻是微細(xì)加工技術(shù)的重要組成部分，微電子技術(shù)的快速發(fā)展推動了微加工技術(shù)的發(fā)展。通常，蝕刻技術(shù)可分為干蝕刻和濕蝕刻。初始蝕刻主要是濕法蝕刻，但是當(dāng)器件制造成微米和亞微米時代時，進(jìn)行濕法蝕刻。蝕刻難以滿足日益高的精度要求。干蝕刻技術(shù)取得了很大進(jìn)展。干蝕刻通常通過物理和化學(xué)方面的組合去除蝕刻的膜，因此蝕刻具有各向異性，這可以從根本上改善濕法中固有的橫向底切問題。從而滿足細(xì)線蝕刻的要求。有許多常見的蝕刻方法，旋片式真空技術(shù)就是其中之一。用于半導(dǎo)體蝕刻工藝的旋片式真空泵具有速度快，選擇率高，各向異性高，蝕刻損傷小，大面積均勻性好，蝕刻部分輪廓可控性好，蝕刻表面光滑平滑等優(yōu)點。近年來，德國旋片式真空泵已廣泛應(yīng)用于硅，二氧化硅，III-V化合物等材料的蝕刻，并取得了良好的蝕刻效果，可滿足制作超大規(guī)模集成電路的要求。 ，MEMS，光電器件。各種微結(jié)構(gòu)設(shè)備的要求。